Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele
Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce
Autoři

MEDUŇA Mojmír RŮŽIČKA Jiří CAHA Ondřej BURŠÍK Jiří SVOBODA Milan

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physica B condensed matter
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www pdf
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova silicon; interstitial oxygen; precipitation
Popis Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.