Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Prostor vypňující pole třídimenzionálních epitaxních Ge a Si1-xGex krystalů
Autoři

FALUB C.V. ISA F. KREILIGER T. BERGAMASCHINI R. MARZEGALLI A. TABOADA A.G. CHRASTINA D. ISELLA G. MÜLLER E. NIEDERMANN P. DOMMANN A. NEELS A. PEZOUS A. MEDUŇA Mojmír MIGLIO L. VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2012
Druh Článek ve sborníku
Konference 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1109/ISTDM.2012.6222457
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova silicon; heteroepitaxy; x-ray diffraction
Popis Krystalová kvalita, sklon a deformace Ge a Si1-xGex krystalů byla studována pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.