Some electrical properties of SiOxHyCz thin films prepared by PECVD

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Některé elektrické vlastnosti SiOxHyCz tenkých vrstev vytvořených PECVD
Autoři	FRANCLOVÁ Jana
Rok publikování	2007
Druh	Článek ve sborníku
Konference	New Trends in Physics
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova	Frenkel Poole effect conduction mechanisms PECVD
Popis	SiOxHyCz tenké vrstvy byly připravené plazmochemickou depozicí na skleněných substrátech při odlišných depozičních podmínek na skleněný substrát. Hliníkové elelktrody byly vakouvě napařené a jejich tloušťka byl a asi 100nm. V tomto sandwičovém uspořádání byly měřeny VA chararkteristiky. Z těcjto charakteristik lze usuzovat, že vodivostní mechanismus je Poole-Frenkelova vodivost.
Související projekty:	Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek