Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Hustota Mn intersticiálů v GaMnAs určená anomální rtg difrakcí
Autoři

HOLÝ Václav MARTÍ Xavier HORÁK Lukáš CAHA Ondřej NOVÁK Vít CUKR Miroslav SCHÜLLI Tobias Urs

Rok publikování 2010
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Applied Physics Letters
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www https://doi.org/10.1063/1.3514240
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.3514240
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction
Popis Hustota intersticiálů Mn v GaMnAs byla určena anomální rtg difrakcí, t.j. měřením závislosti intenzity slabé difrakce 002 na energii fotonu kolem K absorpční hrany Mn.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.