Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs
Autoři

SCHMIDBAUER Martin UGUR Asli WOLLSTEIN C. HATAMI Fariba KATMIS Ferhat CAHA Ondřej MASSELINK W. T.

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of Applied Physics
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS
Popis Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.