Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky Tří rozměrná epitaxe: Nová cesta pro různé materiály integrované monoliticky ma křemíku
Autoři

FALUB Claudiu Valentin KREILIGER Thomas TABOADA A. ISA Fabio CHRASTINA Daniel ISELLA G. MULLER E. MEDUŇA Mojmír BERGAMASCHINI R. MARZEGALLI Anna BONERA E. PEZZOLI F. MIGLIO Leo NIEDERMANN P. NEELS A. PEZOUS A. KAUFMANN R. DOMMANN A. VON KAENEL Hans

Rok publikování 2012
Druh Článek ve sborníku
Konference 2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698
Doi http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova monolithic integration; high quality Ge; elimination of cracking; threading-dislocation densities; epitaxial necking; patterned Si substrates; electrical properties
Popis S ohledem na poptávku po Ge rtg detektorech monoliticky integrovaných na na Si-CMOS technologii jsme vyvinuli novou metodu pro kombinaci různých materiálů, které mohou poskytnout řešení hlavních problémů heteroepitaxe, tj. vysoké hustoty threading dislokací, ohýbání desek a praskání.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.