Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

• Název česky: 3D Ge/SiGe mnohonásobné kvantové jámy deponované na Si(001) a Si(111) vzorkované substráty
• Autoři: ISA Fabio; PEZZOLI Fabio; ISELLA G.; MEDUŇA Mojmír; FALUB C.V.; MÜLLER E.; KREILIGER Thomas; TABOADA A. G.; VON KAENEL Hans; MIGLIO Leo
• Rok publikování: 2015
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Semiconductor Science and Technology
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality
• Popis: V této práci prezentujeme 3D heteropřechody ukazující, že fotoluminescence z bezdefektních Ge/SiGe mnohonásobných kvantových jam (MQW) mikrokrystalů pěstovaných na hluboce vzorkovaných Si(001) a Si(111) substrátech vykazují podobné radiační intenzity a analogický spektrální tvar.

Související projekty

• CEITEC - středoevropský technologický institut
• NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií
• CEITEC - open access