Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Název česky 3D Ge/SiGe mnohonásobné kvantové jámy deponované na Si(001) a Si(111) vzorkované substráty
Autoři

ISA Fabio PEZZOLI Fabio ISELLA G. MEDUŇA Mojmír FALUB C.V. MÜLLER E. KREILIGER Thomas TABOADA A. G. VON KAENEL Hans MIGLIO Leo

Rok publikování 2015
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Semiconductor Science and Technology
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality
Popis V této práci prezentujeme 3D heteropřechody ukazující, že fotoluminescence z bezdefektních Ge/SiGe mnohonásobných kvantových jam (MQW) mikrokrystalů pěstovaných na hluboce vzorkovaných Si(001) a Si(111) substrátech vykazují podobné radiační intenzity a analogický spektrální tvar.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.