Optical characterization of DLC:Si films prepared by PECVD

Logo poskytovatele
Logo poskytovatele

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.
Autoři

FRANTA Daniel BURŠÍKOVÁ Vilma ZAJÍČKOVÁ Lenka

Rok publikování 2001
Druh Článek ve sborníku
Konference Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
www http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/SAPP13_87.html
Obor Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Popis Multi-sample modification of variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry (VASE) was used to characterize silicon doped diamond like carbon (DLC:Si) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). These films were prepared on wafers of silicon single crystal in the planar capacitively coupled RF reactor. The gas feed for deposition was a mixture of methane (CH4), hexamethyldisiloxane (HMDSO) and argon (Ar).
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.