Optical characterization of DLC:Si films prepared by PECVD

Varování

Publikace nespadá pod Pedagogickou fakultu, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	FRANTA Daniel BURŠÍKOVÁ Vilma ZAJÍČKOVÁ Lenka
Rok publikování	2001
Druh	Článek ve sborníku
Konference	Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/SAPP13_87.html
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Popis	Multi-sample modification of variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry (VASE) was used to characterize silicon doped diamond like carbon (DLC:Si) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). These films were prepared on wafers of silicon single crystal in the planar capacitively coupled RF reactor. The gas feed for deposition was a mixture of methane (CH4), hexamethyldisiloxane (HMDSO) and argon (Ar).
Související projekty:	Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů Plazmová depozice ochranných vrstev: charakterizace připravených vrstev a diagnostika užitého reaktivního plazmatu Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek